電防護是和人或別的電源電路聯接的全部電子產品的必需維護方式，以避免很有可能產生的數十伏到好幾千伏的髙壓惡性事件。光耦隔離做為一種維護方式，規定2個電源電路中間根據絕緣層或防護天然屏障開展通訊，以避免電流量立即在電源電路中間流動性。
過去的幾十年中，用以防護電源電路的技術性早已從根據電子光學的技術性變化為根據硅的技術性-可是這種技術性確實有什么不一樣?
光耦合器在應用場景中怎樣工作中?
如下圖所示，光耦合器由一個鍵入LED，一個接受光電探測器和一個輸出控制器構成。控制器電源電路和LED電源電路一般 應用相輔相成氫氧化物半導體材料(CMOS)技術性搭建，絕緣層或隔離層一般 由模塑膠構成。光耦合器信號隔離器的鍵入和輸出都必須根據陽極氧化和集電結腳位聯接的單獨電壓源，及其一般 在負極和發射極腳位處聯接的單獨接地裝置，以維持鍵入和輸出中間的數據信號防護。
當釋放的CMOS邏輯性鍵入造成鍵入側電流量時，便會產生光耦合器內的通訊，隨后，該電流量會造成占比的LED輸出，以根據模塑膠阻擋層傳送到接受光電探測器并輸出。
光耦合器的防護特性在于LED，鍵入和輸出中間應用的模塑膠及其模塑膠中間的間距。因為模塑膠是防護天然屏障抗壓強度的首要條件，因而其品質在光耦合器的使用壽命，可信性和特性層面起著關鍵功效。
硅基信號隔離器怎樣工作中?
根據硅的隔離技術根據CMOS技術性，由2個單獨的集成電路芯片(IC)集成ic-鍵入電源電路和輸出電源電路-根據緊密連接線聯接以完成傳輸數據，如圖2所顯示。
數據信號隔離器構造的截面
數據信號隔離器的鍵入和輸出端(如下圖所示)均必須獨立的電壓源(VCC1，VCC2)和獨立的接地線(GND1，GND2)，以維持鍵入和輸出中間的數據信號防護。將晶體三極管晶體三極管邏輯或CMOS邏輯性鍵入運用于數據鍵入時，便會產生數據信號隔離器內的通訊。鍵入數據信號被數字轉換為頻域，隨后根據高壓電容性天然屏障，并越過聯接鍵合線抵達接受側IC。
數據信號隔離器電源電路的導體和絕緣體能夠 是單獨或2個二氧化硅(SiO2)電容器性勢壘，依據設計方案，它能夠 承擔非常高的工作電壓。因為絕緣層天然屏障是由高體積電阻率原材料組成的(請參照表1)，而且是在受嚴控的晶圓廠中而不是在裝配流水線中生產制造的，因而構件中間的差別不大可能產生，而且防護特性的首要條件是隔離度。“完成髙壓數據信號防護的品質和可信性”討論了這類生產制造加工工藝怎樣在單獨封裝中出示與2個基礎隔離級別等效電路的可信性，抗震和提高防護。